バルク結晶成長技術

干川圭吾 編著

[目次]

  • 第1編 シリコン結晶成長技術(シリコン結晶成長技術の進展
  • CZ法シリコン結晶中の欠陥核形成
  • 酸素濃度制御と磁界技術
  • 連続充填引上げ法
  • 二層引上げ法
  • 融液対流とシミュレーション技術)
  • 第2編 化合物半導体結晶成長技術(液体封止引上げ法
  • 水平ブリッジマン法
  • 垂直ブリッジマン法
  • 2‐6族結晶成長法)
  • 第3編 酸化物結晶成長技術(引上げ法
  • 融液成長法
  • 溶液成長法
  • 対流、熱流シミュレーション)

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 バルク結晶成長技術
著作者等 干川 圭吾
書名ヨミ バルク ケッショウ セイチョウ ギジュツ
シリーズ名 エレクトロニクス材料・物性・デバイス 4
アドバンストエレクトロニクスシリーズ 4
出版元 培風館
刊行年月 1994.5
ページ数 367p
大きさ 22cm
ISBN 4563036048
NCID BN10742944
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
94050582
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
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