シリコン

阿部孝夫 著

本書は、現在までのシリコン結晶の大直径化およびデバイスプロセスにおける高度な品質管理技術の歴史を振り返りながら、単結晶シリコン製造法の実際とデバイスプロセス中に発生する種々の技術的問題について検証し、さらに今後予想されるギガビット級D‐RAMなどのデバイスに要求されるウェーハ開発のための技術に至るまでを詳述した解説書である。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 シリコン結晶と技術革新-過去から現在まで
  • 2 なぜシリコン単結晶が必要か
  • 3 シリコン単結晶成長
  • 4 ウェーハ加工
  • 5 シリコン融液からの結晶成長
  • 6 添加不純物の偏析現象
  • 7 軽元素の偏析と結晶中の振る舞い
  • 8 酸素析出
  • 9 熱処理と転位(スリップ)の発生
  • 10 重金属の偏析と結晶中の振る舞い
  • 11 点欠陥と二次欠陥
  • 12 シリコンウェーハの表面
  • 13 ULSIのための貼り合わせSOI技術

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 シリコン
著作者等 阿部 孝夫
書名ヨミ シリコン
書名別名 結晶成長とウェーハ加工
シリーズ名 エレクトロニクス材料・物性・デバイス 5
アドバンストエレクトロニクスシリーズ 5
出版元 培風館
刊行年月 1994.5
ページ数 361p
大きさ 22cm
ISBN 4563036056
NCID BN10742751
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全国書誌番号
94050580
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言語 日本語
出版国 日本
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