超LSIレジストの分子設計

津田穣 著

[目次]

  • 序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
  • 第1章 超LSIレジストの要件
  • 第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
  • 第3章 ネガ型レジストの分子設計
  • 第4章 高感度化の分子設計
  • 第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
  • 第6章 解像力向上技術

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 超LSIレジストの分子設計
著作者等 津田 穣
書名ヨミ チョウ エルエスアイ レジスト ノ ブンシ セッケイ
シリーズ名 表面・薄膜分子設計シリーズ 11
出版元 共立
刊行年月 1990.4
ページ数 117p
大きさ 19cm
ISBN 4320085116
NCID BN04656779
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
90033062
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
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