半導体材料と単結晶の製造

犬塚英夫, 高林真 共著

[目次]

• 目次
• 第1章 概説--トランジスタ技術とその生い立ち
• 1・1 トランジスタ以前 / p1
• 1・2 トランジスタの出現 / p2
• 1・3 単結晶造りの変遷 / p4
• 1・3・1 引上げ法 / p5
• 1・3・2 帯均質化(zone leveling)法 / p7
• 1・3・3 浮遊帯溶融法 / p8
• 1・3・4 エピタキシャル成長法 / p9
• 1・4 今後に期待されるもの / p10
• 1・4・1 含金半導体,化合物半導体 / p10
• 1・4・2 ピエゾ特性のある半導体 / p12
• 1・4・3 超伝導材料として,その他 / p13
• 1・5 トランジスタがもたらした技術 / p13
• 1・5・1 帯純化(またはゾーン精製)法 / p13
• 1・5・2 単結晶製造法 / p14
• 1・5・3 結晶表面の研究 / p14
• 1・5・4 精密加工技術その他 / p16
• 第2章 素材料とその精製
• 2・1 ルツボ材料 / p17
• 2・1・1 黒鉛(グラファイト),カーボン / p17
• 2・1・2 石英ガラス(シリカ) / p18
• 2・1・3 アルミナ / p21
• 2・1・4 その他のルツボ材料 / p22
• 2・2 元素材料とその精製 / p22
• 2・2・1 精製法の概要 / p22
• 2・2・2 Ge,Siの精製 / p25
• 2・2・3 その他の元素の精製--(化合物半導体の成分元素の精製) / p36
• 2・3 シード(種結晶:seed) / p39
• 第3章 結晶作成に必要な二,三の技術
• 3・1 半導体の加工 / p43
• 3・1・1 切断 / p43
• 3・1・2 機械的研摩 / p44
• 3・1・3 化学研摩 / p46
• 3・2 保護ガスと精製 / p48
• 3・2・1 酸素を取り去る方法 / p51
• 3・2・2 特殊なガス雰囲気とその作用 / p52
• 3・2・3 雰囲気中の細かい塵埃 / p52
• 3・3 結晶方位の決定法 / p53
• 3・4 転位の観察と転位密度制御法 / p56
• 3・5 不純物の検出法 / p61
• 第4章 単結晶の製法
• 4・1 融体からの単結晶作成 / p67
• 4・1・1 引上げ法--標準の引上げ法 / p67
• 4・1・2 引上げ法の変形 / p70
• 4・1・3 帯均質化(zone leveling)法 / p72
• 4・1・4 浮遊帯溶融法 / p74
• 4・1・5 デンドライト成長 / p76
• 4・1・6 化合物半導体の特殊な成長法 / p83
• 4・2 気相成長法 / p94
• 4・2・1 不均等化反応法 / p97
• 4・2・2 水素還元法 / p105
• 4・2・3 マスクエピタキシ(ME)法 / p120
• 4・2・4 熱分解法 / p126
• 4・3 化合物の合成と結晶作成法 / p133
• 4・3・1 気相反応法 / p133
• 4・3・2 二,三の合成例 / p135
• 4・3・3 エピタキシャル成長 / p135
• 4・3・4 近接法(close-spaced tech) / p140
• 4・4 その他の興味深い単結晶作成法 / p144
• 4・4・1 昇華(sublimation)法 / p144
• 4・4・2 蒸着(evaporation)法 / p146
• 4・4・3 溶液(solution)法 / p149
• 4・4・4 糸状(fiber)結晶作成法 / p153
• 参考文献 / p157
• 索引 / 巻末

「国立国会図書館デジタルコレクション」より