半導体の物性工学

柳井久義, 伴野正美 共編

[目次]

• 目次
• I編 概説
• 1章 半導体物性工学の展望(伴野正美) / p3
• 2章 半導体の概念と一般的性質(伴野正美) / p16
• II編 半導体の物性
• 1章 真性半導体の性質(光石知国) / p27
• 2章 不純物半導体の性質(古寺博) / p59
• 3章 極端な条件下での性質(山田栄三郎) / p98
• 4章 PN接合の性質(菅野卓雄) / p118
• 5章 表面(菅野卓雄) / p156
• III編 半導体の材料処理
• 1章 材料の精製と結晶の製法(田内省二) / p167
• 2章 不純物の制御(古寺博) / p214
• 3章 結晶成長の機構(杉田吉充) / p237
• 4章 結晶の完全性(杉田吉充) / p253
• 5章 不純物の拡散(田内省二) / p279
• 6章 PN接合の製法(保坂雄) / p304
• IV編 半導体装置
• 1章 トランジスタおよびダイオード(柳井久義1・1～1・4,牧本次生1・5) / p329
• 2章 光電装置(安達栄一) / p384
• 5章 熱電装置(平井忠正) / p398
• 4章 感温半導体装置(二木久夫) / p410
• 5章 その他の半導体素子(神田洋三5・1～5・2,光石知国5・3) / p431
• 付録(古寺博) / p449
• 索引 / p473

「国立国会図書館デジタルコレクション」より