薄膜の基礎技術

三宅清司 著

[目次]

• 目次
• 第1章 序説 / p1
• 1.1 金属薄膜 / p1
• 1.2 金属薄膜の性質 / p2
• 1.3 金属薄膜の応用 / p3
• 第2章 金属薄膜の成長 / p5
• 2.1 金属薄膜のエピタキシアル成長 / p5
• 2.2 結晶下地上の核の生成 / p8
• 2.3 結晶下地上の膜の成長 / p11
• 2.4 非結晶下地上の膜の成長 / p14
• 2.5 金属薄膜の生成理論 / p18
• 第3章 金属薄膜の電気抵抗 / p22
• 3.1 金属薄膜の電気抵抗 / p22
• 3.2 電気抵抗の温度係数 / p30
• 3.3 薄膜のエージングと電気抵抗 / p34
• 3.4 金属薄膜の電気伝導の理論 / p39
• 第4章 真空および真空系 / p48
• 4.1 実在気体と理想気体 / p48
• 4.2 理想気体の運動論的取扱い / p51
• 4.3 気体の粘性,拡散,および,表面衝突速度と堆積速度 / p56
• 4.4 真空系 / p63
• 4.5 真空系の排気速度 / p69
• 第5章 真空ポンプおよび真空計 / p80
• 5.1 真空ポンプとその種類 / p80
• 5.2 油回転真空ポンプと油拡散真空ポンプ / p82
• 5.3 ゲッターイオン真空ポンプ / p90
• 5.4 真空の測定および低真空用真空計 / p96
• 5.5 高真空用真空計 / p99
• 第6章 真空蒸発と真空蒸着装置 / p105
• 6.1 真空蒸発 / p105
• 6.2 蒸着装置の基本構成と種類 / p112
• 6.3 蒸着装置のガス出し装置と計測器 / p118
• 6.4 電子線蒸着装置 / p127
• 6.5 多層薄膜蒸着装置 / p133
• 6.6 真空蒸着装置の性能 / p137
• 第7章 カソードスパッタリング / p142
• 7.1 衝撃蒸発 / p142
• 7.2 グロー放電 / p144
• 7.3 イオン衝撃とスパッター粒子 / p146
• 7.4 カソードスパッタリングの性質 / p149
• 7.5 カソードスパッタリングの理論 / p157
• 7.6 カソードスパッタリング装置 / p160
• 7.7 交流およびバイアススパッタリング / p168
• 7.8 ゲッタースパッタリング / p171
• 第8章 薄膜の製作条件と性質:金属,下地の化学処理と膜厚の測定 / p175
• 8.1 半導体装置の薄膜用金属と基板材料 / p175
• 8.2 金属および下地表面の化学処理 / p178
• 8.3 膜厚の分布 / p183
• 8.4 膜厚および堆積速度の測定と監視 / p189
• 第9章 真空蒸着膜の製作条件と性質 / p199
• 9.1 真空蒸着膜の製作 / p199
• 9.2 蒸着膜の性質と真空度 / p206
• 9.3 下地の条件と蒸着膜の性質 / p210
• 9.4 金属,合金の真空蒸発法と蒸着速度 / p217
• 9.5 蒸着膜のエージング / p224
• 第10章 スパッタリング膜の製作条件と性質 / p230
• 10.1 スパッタリング膜の製作 / p230
• 10.2 残留ガスとゲッタースパッタリング / p233
• 10.3 バイアススパッタリングと吸蔵ガス / p235
• 10.4 下地の温度,スパッタリング条件と膜の性質 / p238
• 10.5 スパッタリング膜の堆積速度と膜の性質 / p242
• 10.6 スパッタリング膜のエージング / p246
• 第11章 金属薄膜の半導体装置への応用 / p250
• 11.1 半導体装置と金属膜 / p250
• 11.2 金属膜の基板とその性質 / p252
• 11.3 電子部品用金属膜 / p258
• 11.4 電極 / p264
• 11.5 引出し導線 / p269
• 11.6 接点および接続導線 / p273
• 11.7 電気抵抗 / p277
• 11.8 電気容量 / p284
• 索引 / p291

「国立国会図書館デジタルコレクション」より