レーザラマン分光法による半導体の評価

河東田隆 著

[目次]

  • 1 レーザラマン分光法の原理と装置
  • 2 半導体評価技術としてのラマン分光法の特徴
  • 3 結晶の面方位の測定
  • 4 物質の同定-陽極酸化膜‐半導体構造中の遊離物質の評価
  • 5 化合物半導体表面のストレスの評価
  • 6 結晶構造の乱れの評価<1>-GaAsイオン注入層の構造評価
  • 7 結晶構造の乱れの評価<2>-アモルファスシリコンの評価
  • 8 局在モードに基づく半導体中の不純物の評価
  • 9 プラズモン‐LOフォノン結合モードに基づく電気的特性評価
  • 10 混晶半導体の評価
  • 11 超格子構造とその無秩序化の評価

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 レーザラマン分光法による半導体の評価
著作者等 河東田 隆
書名ヨミ レーザ ラマン ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ノ ヒョウカ
出版元 東京大学出版会
刊行年月 1988.4
ページ数 194p
大きさ 22cm
ISBN 4130601199
NCID BN02242334
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
88038427
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
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