半導体物性工学の基礎

原留美吉 著

[目次]

  • 目次
  • 第1編
  • 第1章 固体と結晶 / p1
  • 第2章 Ge,Siの精製法 / p32
  • 第3章 単結晶技術 / p49
  • 第2編
  • 第4章 固体内電子のエネルギ帯構造 / p79
  • 第5章 固体内電子のエネルギ準位密度と半導体キャリヤ密度 / p107
  • 第6章 半導体の電気伝導 / p131
  • 第7章 Ge,Siの帯構造 / p150
  • 第8章 化合物半導体 / p161
  • 第3編
  • 第9章 不純物の拡散とp‐n接合法 / p186
  • 第10章 半導体と金属の接触 / p203
  • 第11章 p‐n接合とトランジスタ / p209
  • 第12章 半導体の熱電現象 / p248
  • 第13章 半導体の光電現象 / p256
  • 第14章 半導体の高周波発振現象 / p287
  • 付編
  • 第15章 金属の電気伝導 / p306
  • 第16章 超伝導 / p324
  • 本文註 / p335
  • 参考文献 / p370
  • 索引 / p373

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 半導体物性工学の基礎
著作者等 原留 美吉
書名ヨミ ハンドウタイ ブッセイ コウガク ノ キソ
出版元 工業調査会
刊行年月 1967
ページ数 383p
大きさ 22cm
ISBN 4769310013
NCID BN01995268
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
67008431
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
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