タウア・ニン最新VLSIの基礎

Yuan Taur, Tak H.Ning 著 ; 芝原健太郎, 宮本恭幸, 内田建 監訳

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 序章
  • デバイス物理の基礎
  • MOSFETデバイス
  • CMOSデバイス設計
  • CMOS性能因子
  • バイポーラデバイス
  • メモリデバイス
  • SOIデバイス〔ほか〕

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 タウア・ニン最新VLSIの基礎
著作者等 Ning, Tak H
Taur, Yuan
内田 建
宮本 恭幸
芝原 健太郎
ニン
タウア
書名ヨミ タウア ニン サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ
書名別名 Fundamentals of Modern VLSI Devices

Taua nin saishin vuieruesuai no kiso
出版元 丸善
刊行年月 2013.1
版表示 第2版.
ページ数 721p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-621-08581-3
NCID BB11481411
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全国書誌番号
22200109
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
原文言語 英語
出版国 日本
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