半導体デバイスの基礎  上 (半導体物性)

B.L.アンダーソン, R.L.アンダーソン 著 ; 樺沢宇紀 訳

本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。上巻では原子と半導体結晶に関する初歩的な概念から説き起こして、半導体におけるエネルギーバンド構造とキャリヤ(電流担体)としての電子と正孔、不純物添加によるキャリヤの導入、電流生成機構や光学応答などキャリヤの基本的な挙動、不均一な半導体試料における電気的な効果などを論じ、電子デバイスの動作の理解に不可欠な半導体物性の基礎知識を与える。補遺において量子力学の基礎、Hall測定、キャリヤへの温度の影響、フォノンの性質などについても一通り紹介する。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 第1部 半導体物性(半導体内部の電子状態
  • 均一な半導体のキャリヤとバンド構造
  • 均一な半導体におけるキャリヤの挙動
  • 不均一な半導体
  • 電子と半導体の物理
  • 量子力学入門
  • 半導体物性に関する補足)

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 半導体デバイスの基礎
著作者等 Anderson, Betty Lise
Anderson, Richard L
樺沢 宇紀
Anderson Richard L.
アンダーソン R.L.
アンダーソン B.L.
書名ヨミ ハンドウタイ デバイス ノ キソ
書名別名 Fundamentals of semiconductor devices

半導体物性

Handotai debaisu no kiso
巻冊次 上 (半導体物性)
出版元 シュプリンガー・ジャパン
刊行年月 2008.5
ページ数 297p
大きさ 21cm
ISBN 978-4-431-10028-7
NCID BA86089362
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全国書誌番号
21439641
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
原文言語 英語
出版国 日本
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