ナノエレクトロニクス  下巻

Rainer Waser 編 ; 木村達也 訳

[目次]

  • 第4部 ランダムアクセスメモリ(DRAMのための高誘電率材料
  • 強誘電体ランダムアクセスメモリ ほか)
  • 第5部 大容量記憶デバイス(ハードディスク
  • 磁気光学ディスク ほか)
  • 第6部 データ伝送とインタフェース(チップとボードレベルの伝送
  • 光ネットワーク ほか)
  • 第7部 センサアレイと画像システム(光3次元飛行時間形画像化システム
  • 赤外画像化のための焦電検出器アレイ ほか)
  • 第8部 デイスプレイ(液晶ディスプレイ
  • 有機発光デバイス ほか)

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 ナノエレクトロニクス
著作者等 Waser, Rainer
木村 達也
バサー ライナー
書名ヨミ ナノエレクトロニクス
書名別名 Nanoelectronics and information technology. (第2版)

Nanoelectronics and information technology

Nanoerekutoronikusu
巻冊次 下巻
出版元 オーム社
刊行年月 2006.11
ページ数 801p 図版8p
大きさ 21cm
ISBN 4274501116
NCID BA79501976
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全国書誌番号
21153782
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
原文言語 英語
出版国 日本
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