半導体デバイス理論 : 基礎から最新シミュレーションまで

Karl Hess 著 ; 松田和典 ほか訳

半導体デバイスは現在世界中のいたるところにある。車、台所、電子鍵にも多く見られ、日常生活における存在がその証拠となっている。本書は、基礎量子物理学からコンピュータ支援の設計に至るまで、半導体デバイス理論についての基礎をわかりやすく述べたものである。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 基礎方程式の簡単な復習
  • 結晶格子の対称性
  • 結晶のエネルギーバンド理論
  • 理想的な結晶構造の不完全性
  • 電子と正孔に対する平衡状態の統計
  • 自己無撞着ポテンシャルと半導体の誘電的性質
  • 散乱理論
  • ボルツマン輸送方程式
  • 生成‐再結合
  • ヘテロ接合障壁
  • ショックレーとストラットンのデバイス方程式
  • 数値デバイスシミュレーション
  • ダイオード
  • レーザダイオード
  • トランジスタ
  • 未来の半導体デバイス

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この本の情報

書名 半導体デバイス理論 : 基礎から最新シミュレーションまで
著作者等 Hess, Karl
松田 和典
石橋 晃
谷村 吉隆
関 俊司
ヘス カール
書名ヨミ ハンドウタイ デバイス リロン : キソ カラ サイシン シミュレーション マデ
書名別名 Advanced theory of semiconductor devices. (改訂新版)

Handotai debaisu riron
出版元 丸善
刊行年月 2002.8
ページ数 384p
大きさ 21cm
ISBN 4621070789
NCID BA5840916X
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全国書誌番号
20320226
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
原文言語 英語
出版国 日本
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