エピタキシャル成長のメカニズム

中嶋一雄 責任編集

本巻では、エピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、エピタキシャル成長にとって最も基本となり重要なテーマを取り上げ解説している。成長方法は、最も基本となる液相エピタキシャル成長、気相エピタキシャル成長、分子線エピタキシャル成長の3方法を取り上げた。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 基本概念(エピタキシャル成長の基礎
  • 結晶成長に影響を与える因子
  • 成長モード)
  • 2 エピタキシャル成長の熱力学(固液平衡からの成長(LPE)
  • 固気平衡からの成長)
  • 3 結晶成長のカイネティクス(成長表面のカイネティクス
  • 溶液成長における溶質元素の拡散
  • 気相成長の物質輸送効果)
  • 4 基板の表面状態とエピタキシャル成長(面方位とエピタキシャル成長
  • 微傾斜面とエピタキシー
  • サーファクタントを利用した成長)
  • 5 ヘテロエピタキシャル成長(ヘテロエピタキシャル成長と格子整合
  • ヘテロ構造の応力・歪み)

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 エピタキシャル成長のメカニズム
著作者等 中嶋 一雄
書名ヨミ エピタキシャル セイチョウ ノ メカニズム
シリーズ名 シリーズ:結晶成長のダイナミクス / 西永頌, 宮澤信太郎, 佐藤清隆 編 3巻
出版元 共立
刊行年月 2002.5
ページ数 210p
大きさ 22cm
ISBN 4320034120
NCID BA56747445
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全国書誌番号
20367288
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言語 日本語
出版国 日本
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