MOSFETのモデリングとBSIM3ユーザーズ・ガイド

Yuhua Cheng, Chenming Hu 著 ; 鳥谷部達 監修 ; 三洋電機 ほか共訳

LSIデバイス技術はナノメーター領域に近づいているが、本書は、この回路シミュレーションモデルの決定版といわれているBSIM3についての解説書である。デバイス研究者、回路設計者、デバイス技術者の実用書としてのみならず、回路設計・デバイス設計関連の研究室に在籍する学部4年生〜大学院生らの参考書としても有用。さらに、LSIデバイス技術者の、BSIM3の研修テキストとして最適である。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 序論
  • 現代のMOSFETにおける重要な物理現象
  • しきい値電圧モデル
  • I‐Vモデル
  • キャパシタンスモデル
  • 基板電流モデル
  • ノイズモデル
  • ソース・ドレイン寄生素子モデル
  • 温度依存性モデル
  • 非準静的(Non‐quasi Static:NQS)モデル
  • BSIM3v3モデルの仕組み
  • モデルのテスト
  • モデルパラメータ抽出
  • RF,および他分野へのコンパクトモデルの応用

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 MOSFETのモデリングとBSIM3ユーザーズ・ガイド
著作者等 Cheng, Yuhua
Hu, Chenming
三洋電機株式会社
鳥谷部 達
シルバコジャパン
リコー
日立製作所
三洋電機
書名ヨミ MOSFET ノ モデリング ト BSIM3 ユーザーズ ガイド
書名別名 MOSFET modeling & BSIM3 user's guide
出版元 丸善
刊行年月 2002.2
ページ数 467p
大きさ 21cm
ISBN 4621049836
NCID BA5603868X
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全国書誌番号
20261770
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
原文言語 英語
出版国 日本
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