半導体結晶成長

大野英男 編著

[目次]

• 1 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
• 2 Si‐Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御
• 3 GaAsの単分子成長機構
• 4 III‐V族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
• 5 III‐V族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
• 6 II‐VI族半導体量子井戸の作製と光物性
• 7 ZnS系材料の分子線エピタキシー成長
• 8 垂直ブリッジマン法によるtwin‐free ZnSe単結晶の作製と評価
• 9 高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価
• 10 磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製
• 11 カルコパイライト型化合物の結晶成長

「BOOKデータベース」より