半導体結晶成長

大野英男 編著

本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
  • 2 Si‐Ge系のCVDエピタキシーと原子層成長制御
  • 3 GaAsの単分子成長機構
  • 4 III‐V族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
  • 5 III‐V族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
  • 6 II‐VI族半導体量子井戸の作製と光物性
  • 7 ZnS系材料の分子線エピタキシー成長
  • 8 垂直ブリッジマン法によるtwin‐free ZnSe単結晶の作製と評価
  • 9 高純度ZnSeおよびCdTeバルク単結晶の成長と評価
  • 10 磁性半導体Euカルコゲナイドの結晶作製
  • 11 カルコパイライト型化合物の結晶成長

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 半導体結晶成長
著作者等 大野 英男
書名ヨミ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ
出版元 コロナ社
刊行年月 1999.2
ページ数 265p
大きさ 22cm
ISBN 4339007048
NCID BA39207678
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
99065343
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
この本を: 
このエントリーをはてなブックマークに追加

このページを印刷

外部サイトで検索

この本と繋がる本を検索

ウィキペディアから連想