シリコン結晶とドーピング

阿部孝夫 ほか著

半導体プロセス技術の出発点であるシリコン単結晶成長と、同技術の中心となる不純物ドーピングについて、VLSIデバイスからの要求にそって、最新の技術を解説。単結晶成長およびドーピングはいずれも古い歴史があるが、VLSIのように高集積化すると、従来の技術に変更を加えざるをえない。そこで、本書では結晶・ドーピング技術とデバイスとの関連を明らかにすることに重点を置いて詳述している。

「BOOKデータベース」より

[目次]

  • 1 結晶とエピタキシ
  • 2 不純物拡散
  • 3 イオン注入

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 シリコン結晶とドーピング
著作者等 小切間 正彦
谷口 研二
阿部 孝夫
書名ヨミ シリコン ケッショウ ト ドーピング
シリーズ名 電子材料シリーズ
出版元 丸善
刊行年月 1986.6
ページ数 230p
大きさ 22cm
ISBN 4621030825
NCID BN00341437
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
86046662
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
この本を: 
このエントリーをはてなブックマークに追加

このページを印刷

外部サイトで検索

この本と繋がる本を検索

ウィキペディアから連想