化合物半導体表面超格子における電子波干渉に関する研究

[目次]

  • 目次
  • 第1章 序論 / p1
  • 1-1 研究の背景とねらい / p1
  • 1-2 研究成果の構成 / p3
  • 第2章 低次元電子ガスの作製 / p4
  • 2-1 AlGaAs/GaAs変調ドープ構造 / p4
  • 2-2 細線加工技術 / p5
  • 2-3 文献 / p11
  • 第3章 Wash Board Transistor / p12
  • 3-1 はじめに / p12
  • 3-2 電子の量子干渉効果観測条件 / p13
  • 3-3 Wash Board Transistorの構造と作製 / p18
  • 3-4 Wash Board Transistorの電流振動 / p40
  • 3-5 Wash Board Transistorの量子干渉効果 / p50
  • 3-6 相対電流変化振動の温度依存性 / p71
  • 3-7 まとめ / p78
  • 3-8 文献 / p79
  • 第4章 AlAs/GaAs分数原子層超格子変調ドープ構造の電子状態 / p81
  • 4-1 AlAs/GaAs分数原子層超格子変調ドープ構造の成長 / p81
  • 4-3 AlAs/GaAs分数原子層超格子変調ドープ構造の磁気抵抗 / p92
  • 4-4 AlAs/GaAs分数原子層超格子変調ドープ構造の閾電圧と局在 / p109
  • 4-5 AlAs/GaAs分数原子層超格子を持つ量子細線素子 / p113
  • 4-6 まとめ / p118
  • 4-7 文献 / p119
  • 第5章 AlAs/GaAs分数原子層超格子を持つ電子波干渉素子 / p121
  • 5-1 電子波干渉素子における電流振動 / p121
  • 5-2 電子波干渉による電流振動 / p135
  • 5-3 AlAs/GaAs分数原子層超格子変調ドープ構造一次元電子波干渉素子 / p145
  • 5-4 まとめ / p155
  • 5-5 文献 / p156
  • 第6章 Mach-Zehnder電子波干渉計 / p157
  • 6-1 Mach-Zehnder電子波干渉計の分類 / p157
  • 6-2 Mach-Zehnder電子波干渉計の作製 / p160
  • 6-3 Mach-Zehnder電子波干渉計の特性 / p164
  • 6-4 今後の課題 / p177
  • 6-5 まとめ / p178
  • 6-6 文献 / p179
  • 第7章 むすび / p181
  • 第8章 謝辞 / p184
  • 第9章 研究発表リスト / p185
  • 9-1 本研究での発表リスト / p185
  • 9-2 本研究以外の研究発表 / p190
  • 9-3 特許 / p191

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 化合物半導体表面超格子における電子波干渉に関する研究
著作者等 椿 光太郎
書名ヨミ カゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン チョウコウシ ニ オケル デンシハ カンショウ ニ カンスル ケンキュウ
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