超LSIレジストの分子設計

津田穣 著

[目次]

  • 序章 なぜ、レジストの研究をするのか?
  • 第1章 超LSIレジストの要件
  • 第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
  • 第3章 ネガ型レジストの分子設計
  • 第4章 高感度化の分子設計
  • 第5章 ドライ現象のためのレジストの分子設計
  • 第6章 解像力向上技術

「BOOKデータベース」より

この本の情報

書名 超LSIレジストの分子設計
著作者等 津田 穣
書名ヨミ チョウ エルエスアイ レジスト ノ ブンシ セッケイ
書名別名 Cho eruesuai rejisuto no bunshi sekkei
シリーズ名 表面・薄膜分子設計シリーズ 11
出版元 共立
刊行年月 1990.4
ページ数 117p
大きさ 19cm
ISBN 4320085116
NCID BN04656779
※クリックでCiNii Booksを表示
全国書誌番号
90033062
※クリックで国立国会図書館サーチを表示
言語 日本語
出版国 日本
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