Si基板上へのヘテロエピタキシーに関する研究

[目次]

  • 目次 / p1
  • 第1章 序論 / p1
  • 1.1 はじめに / p1
  • 1.2 MBE法とMOCVD法 / p6
  • 1.3 本論文の構成 / p7
  • 第1章の参考文献 / p11
  • 第2章 Si基板上への[化学式]成長 / p13
  • 2.1 序言 / p13
  • 2.2 MBE装置の概要 / p16
  • 2.3 実験方法 / p20
  • 2.4 結果、考察 / p29
  • 2.5 結言 / p35
  • 第2章の参考文献 / p35
  • 第3章 [化学式]構造におけるミスフィット転位の観察と臨界膜厚 / p37
  • 3.1 序言 / p37
  • 3.2 EBIC法によるミスフィット転位の観察 / p39
  • 3.3 臨界膜厚の組成比依存性 / p52
  • 3.4 結言 / p58
  • 第3章の参考文献 / p59
  • 第4章 [化学式]構造におけるミスフィット転位の導入機構 / p61
  • 4.1 序言 / p61
  • 4.2 ミスフィット転位のTEM観察 / p62
  • 4.3 ミスフィット転位の導入機構 / p69
  • 4.4 ミスフィット転位の増殖機構 / p81
  • 4.5 結言 / p84
  • 第4章の参考文献 / p85
  • 第5章 Si基板上へのGaP成長 / p87
  • 5.1 序言 / p87
  • 5.2 AsH₃プリフローを用いたGaP/Si成長 / p90
  • 5.3 AsH₃プリフローによるSi基板上GaP成長の初期過程 / p110
  • 5.4 結言 / p125
  • 第5章の参考文献 / p126
  • 第6章 Si基板上のInP成長 / p129
  • 6.1 序言 / p129
  • 6.2 GaAs中間層を用いたSi基板上へのInP成長 / p131
  • 6.3 低温成長バッファ層を用いたSi基板上へのInP成長 / p150
  • 6.4 結言 / p163
  • 第6章の参考文献 / p165
  • 第7章 結論 / p169
  • 謝辞 / p175
  • 本研究に関する発表論文 / p177

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 Si基板上へのヘテロエピタキシーに関する研究
著作者等 小濱 剛孝
書名ヨミ Si キバンジョウ エ ノ ヘテロエピタキシー ニ カンスル ケンキュウ
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