Ⅲ-Ⅴ族半導体の反応性ビームエッチング技術の開発と光デバイスへの応用に関する研究

[目次]

  • 論文目録
  • 目次 / p3
  • 第1章 序論 / p1
  • 1-1 はじめに / p1
  • 1-2 本研究の背景と目的 / p3
  • 1-3 本研究の概要と意義 / p9
  • 参考文献 / p12
  • 第2章 Br₂-N₂反応性ビームエッチングの基本過程 / p13
  • 2-1 はじめに / p13
  • 2-2 Br₂-N₂反応性ビームエッチング法の構成 / p17
  • 2-3 放電プラズマとエッチングビーム / p21
  • 2-4 InP結晶のエッチング特性とエッチング機構 / p27
  • 2-5 III-V族半導体結晶の反応性ビームエッチング / p31
  • 2-6 まとめ / p36
  • 参考文献 / p37
  • 第3章 Br₂-N₂反応性ビームエッチングによる反射導波構造の形成 / p39
  • 3-1 はじめに / p39
  • 3-2 導波路反射鏡の構成 / p40
  • 3-3 反射を用いた光合分岐回路の構成 / p46
  • 3-4 ドライエッチングによる導波路反射構造の作製 / p50
  • 3-5 まとめ / p53
  • 参考文献 / p55
  • 第4章 Br₂-N₂反応性ビームエッチングによる2インチ基板上での回折格子用微細溝構造の均一形成 / p56
  • 4-1 はじめに / p56
  • 4-2 2インチ基板上の微細溝構造回折格子の均一形成における2次電子効果 / p57
  • 4-3 エッチングマスクとの選択性向上とその機構 / p69
  • 4-4 GaAs系結晶材料における微細溝構造形成とイオン源輻射 / p71
  • 4-5 まとめ / p75
  • 参考文献 / p76
  • 第5章 反射鏡で構成する半導体リング共振器型周回レーザ / p78
  • 5-1 はじめに / p78
  • 5-2 周回レーザの作製と周回発振特性 / p81
  • 5-3 結合導波路と周回レーザの発振方向 / p86
  • 5-4 複合共振器モデル解析 / p92
  • 5-5 発振方向の制御 / p94
  • 5-6 まとめ / p95
  • 参考文献 / p96
  • 第6章 広角度光合分岐回路を用いたレーザダイオード光マトリックススイッチ(LDSW) / p98
  • 6-1 はじめに / p98
  • 6-2 光スイッチ網の構成 / p101
  • 6-3 溝型合分岐回路を用いたLDSW / p104
  • 6-4 反射型Y合分岐回路によるLDSW / p114
  • 6-5 まとめ / p129
  • 参考文献 / p131
  • 第7章 溝型表面回折格子を用いた分布反射形(DBR)/分布帰還形(DFB)レーザ / p134
  • 7-1 はじめに / p134
  • 7-2 溝型表面回折格子を用いたDBR/DFBレーザの作製 / p136
  • 7-3 溝型表面回折格子を用いたDBRレーザ / p140
  • 7-4 溝型表面回折格子DBRの結合係数評価 / p151
  • 7-5 まとめ / p156
  • 参考文献 / p158
  • 第8章 結論 / p161
  • 謝辞 / p165
  • 発表論文リスト / p167

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 Ⅲ-Ⅴ族半導体の反応性ビームエッチング技術の開発と光デバイスへの応用に関する研究
著作者等 奥 哲
書名ヨミ Ⅲ-Ⅴゾク ハンドウタイ ノ ハンノウセイ ビーム エッチング ギジュツ ノ カイハツ ト ヒカリ デバイス エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
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