MBEによる低温成長GaAsにおける過剰As導入機構の解明

須田篤史[著]

[目次]

  • 博士論文要旨
  • 目次 / p1
  • 1 序論 / p1
  • 1.1 はじめに / p1
  • 1.2 GaAsの化学量論的組成の制御 / p10
  • 1.3 MBE成長GaAsに関する研究 / p17
  • 1.4 低温成長GaAs / p26
  • 参考文献 / p37
  • 2 LT-GaAs中の過剰As量のAs供給量依存性 / p41
  • 2.1 MBE成長条件 / p41
  • 2.2 基板温度測定 / p42
  • 2.3 原料供給量の決定 / p43
  • 2.4 X線回折による過剰As量の決定 / p44
  • 2.5 結果及び考察 / p45
  • 2.6 まとめ / p46
  • 参考文献 / p48
  • 3 過剰As導入過程のモデル化 / p56
  • 3.1 実験結果-過剰As濃度の成長条件依存性 / p56
  • 3.2 過剰As濃度の飽和値の成長温度依存性 / p56
  • 3.3 過剰As前駆体モデル / p58
  • 3.4 過剰As前駆体の脱離の活性化エネルギー / p61
  • 3.5 まとめ / p63
  • 参考文献 / p65
  • 4 Raman散乱による評価 / p74
  • 4.1 はじめに / p74
  • 4.2 実験原理 / p75
  • 4.3 実験方法 / p79
  • 4.4 結果及び考察 / p80
  • 4.5 まとめ / p84
  • 参考文献 / p85
  • 5 結論 / p98
  • 謝辞 / p100
  • 発表論文 / p101
  • 学会発表 / p102
  • 副テーマ要旨

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 MBEによる低温成長GaAsにおける過剰As導入機構の解明
著作者等 須田 篤史
書名ヨミ MBE ニ ヨル テイオン セイチョウ GaAs ニ オケル カジョウ As ドウニュウ キコウ ノ カイメイ
出版元 須田篤史
刊行年月 1999.3
ページ数 iii, 102枚
大きさ 30cm
NCID BA48092839
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言語 日本語
出版国 日本
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