半絶縁性InPの高品質化に関する研究

[目次]

  • 目次
  • 第一章 序論 / p1
  • 1.1 まえがき / p1
  • 1.2 本研究の目的と論文の構成 / p5
  • 参考文献 / p8
  • 第二章 半絶縁性lnP単結晶の問題点 / p9
  • 2.1 はじめに / p9
  • 2.2 FeドープlnPの半絶縁性化機構 / p11
  • 2.3 Feドープ半絶縁性lnP基板の問題点 / p13
  • 2.4 InP結晶の製造工程 / p16
  • 2.5 まとめ / p18
  • 参考文献 / p19
  • 第三章 高純度lnP多結晶の合成 / p21
  • 3.1 はじめに / p21
  • 3.2 実験方法 / p24
  • 3.3 実験結果と考察 / p33
  • 3.4 まとめ / p45
  • 参考文献 / p46
  • 第四章 LEC法によるInP単結晶の育成 / p48
  • 4.1 はじめに / p48
  • 4.2 実験方法 / p50
  • 4.3 実験結果と考察 / p57
  • 4.4 まとめ / p68
  • 参考文献 / p69
  • 第五章 ウェハーアニール法による結晶品質改善 / p70
  • 5.1 はじめに / p70
  • 5.2 実験方法 / p71
  • 5.3 実験結果と考察 / p79
  • 5.4 まとめ / p95
  • 参考文献 / p98
  • 第六章 高圧アニール法による結晶品質改善 / p101
  • 6.1 はじめに / p101
  • 6.2 実験方法 / p103
  • 6.3 実験結果と考察 / p111
  • 6.4 まとめ / p132
  • 参考文献 / p134
  • 第七章 結論 / p136
  • 7.1 総括 / p136
  • 7.2 今後の研究の展開 / p139
  • 7.3 アンドープ半絶縁性InPの応用分野 / p140
  • 謝辞 / p141

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 半絶縁性InPの高品質化に関する研究
著作者等 甲斐莊 敬司
書名ヨミ ハンゼツエンセイ InP ノ コウヒンシツカ ニ カンスル ケンキュウ
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