プラズマCVD法による半導体薄膜の生成とその圧力センサへの応用に関する研究

[目次]

  • 目次 / p1
  • 第1章 緒言 / p1
  • 第2章 半導体のピエソ抵抗効果 / p4
  • 2.1 まえがき / p4
  • 2.2 エネルギーバンド構造 / p5
  • 2.3 ピエゾ抵抗効果 / p8
  • 2.4 ピエソ抵抗係数 / p15
  • 2.5 多結晶半導体のピエゾ抵抗効果 / p21
  • 2.6 まとめ / p26
  • 第3章 プラズマCVD / p30
  • 3.1 まえがき / p30
  • 3.2 プラズマの性質 / p32
  • 3.3 弱電離プラズマ / p34
  • 3.4 プラスマCVD / p38
  • 3.5 まとめ / p40
  • 第4章 プラズマCVD法による多結Si薄膜の生成 / p43
  • 4.1 まえがき / p43
  • 4.2 Si薄膜反応装置、生成条件 / p43
  • 4.3 X線回折による結晶構造の評価 / p48
  • 4.4 B添加Si薄膜の電気的性質 / p49
  • 4.5 B添加Si薄膜のピエゾ抵抗特性 / p70
  • 4.6 まとめ / p71
  • 第五章 多結晶SiC薄膜 / p74
  • 5.1 まえがき / p74
  • 5.2 SiC薄膜の生成方法 / p76
  • 5.3 SiC薄膜の生成速度 / p78
  • 5.4 SiC薄膜の結晶性 / p79
  • 5.5 SiC薄膜の光学的特性 / p84
  • 5.6 多結晶SiC薄膜の電気的特性 / p84
  • 5.7 多結晶SiCのピエソ抵抗効果 / p90
  • 5.8 SiC薄膜を用いた圧力センサ / p97
  • 5.9 まとめ / p101
  • 第六章 多結晶Si薄膜を用いた圧力センサ / p107
  • 6.1 まえがき / p107
  • 6.2 圧力センサの構造、製法 / p108
  • 6.3 窒化ケイ素薄膜の内部応力の影響 / p114
  • 6.4 Si薄膜のエキシマレーザアニール / p125
  • 6.5 まとめ / p140
  • 第七章 結言 / p143
  • 謝辞
  • 本研究に関する業績 / p1

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 プラズマCVD法による半導体薄膜の生成とその圧力センサへの応用に関する研究
著作者等 本間 敏男
書名ヨミ プラズマ CVDホウ ニ ヨル ハンドウタイ ハクマク ノ セイセイ ト ソノ アツリョク センサ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
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