GaAs MESFETの高性能化と高速LSIへの応用に関する研究

[目次]

  • 目次 / p3
  • 第1章 序論 / p1
  • 1.1 関連分野の技術的背景 / p1
  • 1.2 問題点の概要と本研究の目的 / p5
  • (参考文献) / p8
  • 第2章 GaAs LSI用p層埋め込み高融点金属シリサイドSAGFETの研究開発 / p10
  • 2.1 緒言 / p10
  • 2.2 p層埋め込み型WSixゲートGaAsSAGFET(BP-FET)の構造 / p13
  • 2.3 p層埋め込み型WSixゲートGaAsSAGFET(BP-FET)の作製プロセス / p13
  • 2.4 高融点金属シリサイドゲート電極の作製 / p15
  • 2.5 イオン注入層形成条件の最適化 / p27
  • 2.6 p層埋め込みGaAs SAGFET高性能化の検討 / p42
  • 2.7 結言 / p64
  • (参考文献) / p66
  • 第3章 p層埋め込み型GaAs SAGFETのLDD化による高性能化に関する研究 / p70
  • 3.1 緒言 / p70
  • 3.2 ゲート・n⁺層分離の検討-オフセットゲート構造SAGFET / p71
  • 3.3 LDD構造の検討-n'中間層形成条件と電流駆動能力(ソース直列抵抗)との関係- / p78
  • 3.4 p層埋め込み型LDD構造SAGFET(BPLDD)の構造 / p79
  • 3.5 p層埋め込み型LDD構造SAGFET(BPLDD)の作製プロセス / p80
  • 3.6 p層埋め込み型LDD構造SAGFET(BPLDD)特性の検討 / p81
  • 3.7 BPLDD構造FETにおける電流駆動能力と速度性能の改善 / p97
  • 3.8 結言 / p108
  • (参考文献) / p111
  • 第4章 GaAs LSI用多層化配線 / p114
  • 4.1 緒言 / p114
  • 4.2 Au系多層化配線プロセス技術 / p116
  • 4.3 Auエアブリッジ配線プロセス技術 / p138
  • 4.4 LSI動作速度と配線遅延の関係 / p140
  • 4.5 結言 / p147
  • (参考文献) / p150
  • 第5章 GaAs LSI設計技術とSRAM,マルチプレクサー/デマルチプレクサーヘの応用 / p153
  • 5.1 緒言 / p153
  • 5.2 基本論理回路 / p154
  • 5.3 メモリLSI(SRAM)設計技術 / p158
  • 5.4 SRAMの性能評価 / p170
  • 5.5 ロジックLSI(マルチプレクサー(MUX)/デマルチプレクサー(DEMUX))設計 / p180
  • 5.6 MUX/DEMUXの動作機能とその性能評価 / p184
  • 5.7 結言 / p186
  • (参考文献) / p188
  • 第6章 総括 / p190
  • 謝辞 / p195
  • 研究業績目録 / p196

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 GaAs MESFETの高性能化と高速LSIへの応用に関する研究
著作者等 野田 実
書名ヨミ GaAs MESFET ノ コウセイノウカ ト コウソク LSI エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
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