分子線エピタキシャル成長の制御と表面再配列構造

中原仁 [著]

[目次]

  • 目次 / p1
  • 第1章 緒言 / p1
  • 1.1 はじめに / p1
  • 1.2 研究の目的 / p6
  • 1.3 本論文の構成 / p7
  • 第2章 実験方法及び解析手法 / p9
  • 2.1 反射高速電子回折(RHEED)の実験方法 / p9
  • 2.2 走査反射電子顕微鏡(SREM)の実験方法 / p15
  • 2.3 RHEEDロッキング曲線の解析方法 / p20
  • 第3章 Si(111)7×7清浄表面へのMBE成長の実験 / p27
  • 3.1 実験の背景 / p27
  • 3.2 Si/Si(111)実験結果 / p29
  • 3.3 Si/Si(111)実験結果の検討 / p47
  • 3.4 第3章のまとめ / p64
  • 第4章 表面制御エピタキシの実験 / p67
  • 4.1 実験の背景 / p67
  • 4.2 Si/Ga/Si(111)実験結果 / p68
  • 4.3 Si/Ga/Si(111)実験結果の検討 / p82
  • 4.4 第4章のまとめ / p94
  • 第5章 結晶成長の計算機シミュレーション / p97
  • 5.1 計算機シミュレーションの背景 / p97
  • 5.2 モンテカルロシミュレーションの方法 / p100
  • 5.3 核生成速度と核成長 / p105
  • 5.4 計算結果 / p107
  • 5.5 計算結果の検討 / p115
  • 5.6 第5章のまとめ / p124
  • 第6章 結言 / p125
  • 付録A 基板温度の測定 / p127
  • 謝辞 / p131
  • 参考文献 / p133
  • 研究業績 / p141

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 分子線エピタキシャル成長の制御と表面再配列構造
著作者等 中原 仁
書名ヨミ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ ノ セイギョ ト ヒョウメン サイハイレツ コウゾウ
出版元 [出版者不明]
刊行年月 [2000]
ページ数 iii, 142p
大きさ 30cm
NCID BB14577980
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言語 日本語
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