0.8~1.0μm帯GaAs系高出力半導体レーザの研究

[目次]

  • 目次
  • 第1章 序論 / p1
  • 1.1 本研究の背景と目的 / p1
  • 1.2 本論文の構成 / p5
  • 1章の参考文献 / p6
  • 第2章 高出力半導体レーザの設計理論 / p10
  • 2.1 はじめに / p10
  • 2.2 半導体レーザの横モード理論 / p11
  • 2.3 位相同期型半導体レーザアレイの横モード理論 / p17
  • 2.4 量子井戸構造の理論と設計 / p17
  • 2.5 まとめ / p19
  • 2章の参考文献 / p22
  • 第3章 AlGaAs系0.8μm帯自己整合型半導体レーザ / p23
  • 3.1 はじめに / p23
  • 3.2 従来型自己整合導波路構造及び問題点 / p28
  • 3.3 界面改良型自己整合型構造 / p28
  • 3.4 基本特性及び高出力特性 / p37
  • 3.5 まとめ / p40
  • 3章の参考文献 / p43
  • 第4章 位相同期型半導体レーザアレイ / p46
  • 4.1 はじめに / p46
  • 4.2 横モード特性の理論解析 / p49
  • 4.3 180°モード位相同期型半導体レーザアレイ / p65
  • 4.4 ダミーストライプを有する180°モード位相同期型半導体レーザアレイ / p86
  • 4.5 まとめ / p96
  • 4章の参考文献 / p98
  • 第5章 InGaAsP系0.98μm帯歪量子井戸半導体レーザ / p104
  • 5.1 はじめに / p104
  • 5.2 リッジ埋込型実屈折率導波路構造 / p107
  • 5.3 InGaASP障壁層を有する歪補償型活性層 / p134
  • 5.4 分布帰還型半導体レ-ザ / p146
  • 5.5 まとめ / p151
  • 5章の参考文献 / p157
  • 第6章 InGaAsP系0.98μm帯半導体レーザの端面劣化抑制による高信頼度化 / p163
  • 6.1 はじめに / p163
  • 6.2 端面近傍への電流非注入領域の導入 / p165
  • 6.3 端面幅広型フレアストライプ構造の導入 / p169
  • 6.4 指数関数型フレアストライプ構造の導入 / p175
  • 6.5 まとめ / p186
  • 6章の参考文献 / p189
  • 第7章 総括 / p194
  • 謝辞 / p197
  • 発表リスト / p198

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 0.8~1.0μm帯GaAs系高出力半導体レーザの研究
著作者等 佐川 みすず
書名ヨミ 0.8 1.0マイクロmタイ GaAsケイ コウシュツリョク ハンドウタイ レーザ ノ ケンキュウ
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