金属/SiCおよび金属/Si界面のSchottky障壁の形成機構に関する研究

[目次]

  • 目次
  • 第1章 序論 / p1
  • 1.1 はじめに / p1
  • 1.2 本研究の目的と意義 / p4
  • 参考文献 / p7
  • 第2章 金属/半導体界面の電位障壁における古典的アプローチ / p8
  • 2.1 Schottky障壁研究の歴史と現状 / p8
  • 2.2 経験的Ohmic界面形成技術 / p18
  • 2.3 新しい界面形成法の提案 / p19
  • 2.4 まとめ / p28
  • 参考文献 / p29
  • 第3章 ピニングフリーな理想金属/6H-SiC(0001)界面の形成 / p31
  • 3.1 はじめに / p31
  • 3.2 6H-SiC表面清浄化技術 / p32
  • 3.3 Ti/6H-SiC Ohmic界面 / p38
  • 3.4 ピニングフリーな金属/6H-SiC Schottky障壁の形成機構 / p43
  • 3.5 フラットバンド表面の構造 / p55
  • 3.6 金属/6H-SiC界面の電荷中性点 / p65
  • 3.7 まとめ / p65
  • 参考文献 / p67
  • 第4章 ピニングフリー化を進めた金属/6H-SiC Ohmic界面の構造と安定性 / p70
  • 4.1 はじめに / p70
  • 4.2 ピニングフリーTi/6H-SiC Ohmic界面の断面TEM評価 / p71
  • 4.3 Ti/6H-SiC界面の熱的耐性 / p79
  • 4.4 Hf/6H-SiC界面の低Schottky障壁形成 / p80
  • 4.5 フラットバンドSiC表面の安定性 / p87
  • 4.6 ピニングフリーTi/SiC Ohmic界面のアドバンテージ / p101
  • 4.7 まとめ / p103
  • 参考文献 / p104
  • 第5章 強いピニングを有する金属/Si(111)界面への応用 / p105
  • 5.1 はじめに / p105
  • 5.2 理想クリーニング環境システムの構築 / p107
  • 5.3 超高真空金属蒸着装置 / p115
  • 5.4 実験 / p116
  • 5.5 結果と考察 / p120
  • 5.4 まとめ / p128
  • 参考文献 / p129
  • 第6章 結論 / p131
  • 謝辞 / p133

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 金属/SiCおよび金属/Si界面のSchottky障壁の形成機構に関する研究
著作者等 寺地徳之
書名別名 金属 SiC Si 界面 Schottky 障壁 形成 機構
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