多層膜および半導体薄膜界面解析のためのX線定在波法の研究

川村朋晃 [著]

[目次]

  • もくじ / p1
  • 1 はじめに / p5
  • 1.1 研究の背景とねらい / p5
  • 1.2 多層膜ミラーにおける現状および問題点 / p7
  • 1.3 GaAs/Si薄膜における現状および問題点 / p9
  • 1.4 本研究の概要 / p10
  • 2 理論的基礎 / p13
  • 2.1 多層膜におけるX線定在波 / p13
  • 2.2 結晶におけるX線定在波 / p43
  • 3 Ni/C多層膜の解析 / p49
  • 3.1 はじめに / p49
  • 3.2 試料作製 / p49
  • 3.3 X線回折による評価 / p51
  • 3.4 X線定在波測定 / p55
  • 3.5 解析 / p57
  • 3.6 まとめ / p73
  • 4 GaAs/Si界面の解析 / p75
  • 4.1 初めに / p75
  • 4.2 GaAs/Si(111)界面の解析 / p77
  • 4.3 GaAs/Si(100)界面の解析 / p88
  • 4.4 まとめ / p95
  • 5 結論 / p97
  • A 結晶中の定在波の計算式 / p101
  • A.1 計算式 / p101
  • A.2 試料の非対称因子の影響 / p108
  • B 不完全な界面におけるX線の散乱 / p111
  • B.1 粗さ因子の表式 / p111

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 多層膜および半導体薄膜界面解析のためのX線定在波法の研究
著作者等 川村 朋晃
書名ヨミ タソウマク オヨビ ハンドウタイ ハクマク カイメン カイセキ ノ タメ ノ Xセン テイザイハホウ ノ ケンキュウ
出版元 [出版者不明]
刊行年月 [1995]
ページ数 119p
大きさ 30cm
NCID BB14990218
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言語 日本語
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