イオン打ち込みによる半導体量子井戸構造(InGaAs/InAlAs)の混晶化

[目次]

  • Abstract
  • 目次 / p5
  • 1 概要 / p9
  • 1.1 研究の背景 / p9
  • 1.2 研究の目的 / p17
  • 1.3 本論文の構成 / p18
  • 2 結晶中の原子拡散 / p19
  • 2.1 緒言 / p19
  • 2.2 原子拡散の動力学 / p19
  • 2.3 ヘテロ界面の混晶化機構とその加速機構 / p31
  • 2.4 結言 / p37
  • 3 混晶化プロセスと混晶層の評価法 / p38
  • 3.1 緒言 / p38
  • 3.2 混晶化実験に使用するInGaAs/InAlAs量子井戸構造結晶 / p40
  • 3.3 イオン打ち込み法 / p45
  • 3.4 ランプ炉を用いたアニーリング / p54
  • 3.5 B打ち込みしたInGaAsバルクに対する電気的特性の測定 / p60
  • 3.6 イオン打ち込みした量子井戸構造の混晶化の測定法 / p69
  • 3.7 結言 / p71
  • 4 イオン打ち込みダメージの影響と量子井戸混晶化測定結果 / p72
  • 4.1 緒言 / p72
  • 4.2 B打ち込みダメージがInGaAs層に与える影響 / p72
  • 4.3 InGaAs/InAlAsヘテロ界面混晶化のフォトルミネッセンスによる評価 / p86
  • 4.4 PLピークシフトのSi,Al,Bイオンドーズ量依存性 / p97
  • 4.5 PLピークシフトのアニール条件依存性 / p104
  • 4.6 結言 / p112
  • 5 混晶化要因の考察 / p114
  • 5.1 緒言 / p114
  • 5.2 イオン打ら込みによるInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化機構 / p115
  • 5.3 LSS理論を用いたダメージの予測 / p121
  • 5.4 III族元素の拡散長の評価 / p122
  • 5.5 結言 / p132
  • 6 量子井戸混晶化の素子間分離への応用の可能性 / p133
  • 6.1 デバイス加工技術への応用の可能性 / p133
  • 6.2 イオン打ち込みを用いた混晶化プロセスの微細加工応用の可能性 / p136
  • 6.3 素子間分離の可能性 / p142
  • 6.4 他のデバイス分離法との比較 / p146
  • 6.5 結言 / p154
  • 7 結論 / p156
  • 8 謝辞 / p159

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 イオン打ち込みによる半導体量子井戸構造(InGaAs/InAlAs)の混晶化
著作者等 山村 真一
書名ヨミ イオン ウチコミ ニ ヨル ハンドウタイ リョウシ イド コウゾウ (InGaAs/InAlAs) ノ コンショウカ
この本を: 
このエントリーをはてなブックマークに追加

このページを印刷

外部サイトで検索

この本と繋がる本を検索

ウィキペディアから連想