バイナリ・多値・アナログ融合動作論理LSIの研究

[目次]

  • 目次
  • 第1章 序論 / p1
  • 1.1 はじめに / p1
  • 1.2 半導体電子工学のあゆみ / p1
  • 1.3 超LSI技術が直面している問題点 / p2
  • 1.4 さらなる技術革新へ向けて / p3
  • 1.5 本論文の目的 / p4
  • 第2章 プラズマパラメータ抽出によるリアクティブイオンエッチングプロセスの制御 / p7
  • 2.1 はじめに / p7
  • 2.2 プラズマパラメータの測定原理 / p8
  • 2.3 実験方法 / p12
  • 2.4 実験結果および考察 / p16
  • 2.5 まとめ / p33
  • 第3章 高誘電体薄膜を用いたメモリセル構造の最適化 / p35
  • 3.1 はじめに / p35
  • 3.2 セル構造のモデリング / p35
  • 3.3 結果および考察 / p37
  • 3.4 まとめ / p44
  • 第4章 ニューロンMOSウィナー・テーク・オール回路 / p45
  • 4.1 はじめに / p45
  • 4.2 4端子デバイスとしてのニューロンMOSFET / p46
  • 4.3 νMOSウィナーテーク・オール回路の原理と実験結果 / p50
  • 4.4 SPICEシミュレーションによるνMOSウィナー・テーク・オール回路の解析 / p56
  • 4.5 バイナリ・ディジタル論理回路との比較 / p63
  • 4.6 まとめ / p73
  • 第5章 νMOSを用いた連想メモリ及びソーティング回路 / p75
  • 5.1 はじめに / p75
  • 5.2 連想メモリのアーキテクチヤ / p76
  • 5.3 ソーティング回路の動作解析 / p78
  • 5.4 まとめ / p86
  • 第6章 ニューロンMOSFETを用いた高機能・高知能データプロセッシングのためのアナログ・多値メモリ / p88
  • 6.1 はじめに / p88
  • 6.2 連想機能を持ったνMOS多値メモリ / p88
  • 6.3 連想メモリのための差分出力回路 / p95
  • 6.4 まとめ / p100
  • 第7章 νMOS多値・機能SRAMとその応用 / p101
  • 7.1 はじめに / p101
  • 7.2 νMOS多値SRAMの動作原理と測定結果 / p101
  • 7.3 多値SRAMを応用した精度可変クラシファイア / p105
  • 7.4 νMOS多値SRAMの高精度化 / p108
  • 7.5 まとめ / p114
  • 第8章 結論 / p115
  • 参考文献 / p117
  • 謝辞 / p122
  • 本研究に関する発表 / p123

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 バイナリ・多値・アナログ融合動作論理LSIの研究
著作者等 山下 毅雄
書名ヨミ バイナリ タチ アナログ ユウゴウ ドウサ ロンリ LSI ノ ケンキュウ
この本を: 
このエントリーをはてなブックマークに追加

このページを印刷

外部サイトで検索

この本と繋がる本を検索

ウィキペディアから連想