Si基板上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究

[目次]

  • 目次 / p1
  • 第1章 序論 / p4
  • 1.1 本研究の背景 / p4
  • 1.2 本研究の目的 / p7
  • 1.3 本研究の概要 / p8
  • 参考文献 / p10
  • 第2章 短時間熱処理によるSiOx保護膜を付けたMBE GaAsの深い準位の変化 / p13
  • 2.1 序 / p13
  • 2.2 実験方法 / p15
  • 2.3 接合容量を用いた深い準位の評価法 / p18
  • 2.4 実験結果と検討 / p28
  • 2.5 結言 / p38
  • 参考文献 / p39
  • 第3章 短時間熱処理によるSiNx保護膜を付けたMBE GaAsの深い準位の変化 / p41
  • 3.1 序 / p41
  • 3.2 実験方法 / p42
  • 3.3 実験結果と検討 / p43
  • 3.4 結言 / p51
  • 参考文献 / p52
  • 第4章 短時間熱処理によるMBE GaAs on Si中の深い準位の変化 / p53
  • 4.1 序 / p53
  • 4.2 実験方法 / p54
  • 4.3 実験結果と検討 / p55
  • 4.4 結言 / p63
  • 参考文献 / p64
  • 第5章 MBE GaAs on Si中の結晶性の乱れと熱処理による変化 / p66
  • 5.1 序 / p66
  • 5.2 実験方法 / p67
  • 5.3 ラマン分光法の原理 / p68
  • 5.4 実験結果と検討 / p72
  • 5.5 結言 / p81
  • 参考文献 / p80
  • 第6章 MBE GaAs on Siの表面及び界面状態の非接触評価 / p83
  • 6.1 序 / p83
  • 6.2 反射マイクロ波法を用いた表面及び界面付近の評価 / p83
  • 6.3 実験方法 / p86
  • 6.4 実験結果及び検討 / p88
  • 6.5 結言 / p94
  • 参考文献 / p95
  • 第7章 MBE GaAs on Siの電気的特性 / p97
  • 7.1 序 / p97
  • 7.2 分光感度から拡散長を求める方法 / p97
  • 7.3 ヘテロ接合の電流-電圧特性 / p100
  • 7.4 実験方法 / p101
  • 7.5 実験結果及び検討 / p103
  • 7.6 結言 / p112
  • 参考文献 / p113
  • 第8章 総括 / p114
  • 謝辞 / p118
  • 本研究に関する発表 / p119

「国立国会図書館デジタルコレクション」より

この本の情報

書名 Si基板上に分子線エピタキシャル成長したGaAsの電気的特性と深い準位に関する研究
著作者等 伊藤 明
書名ヨミ Si キバンジョウ ニ ブンシセン エピタキシャル セイチョウシタ GaAs ノ デンキテキ トクセイ ト フカイ ジュンイ ニ カンスル ケンキュウ
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